Векторы поляризованности и смещения
В предыдущей статье было показано, что вследствие поляризации диэлектрика, т. е. смещения его связанных зарядов, изменяется напряженность электрического поля. Результирующее влияние диэлектрика на электрическое поле оценивают векторной величиной, называемой поляризованностью Р (вектором поляризации).
Средняя интенсивность поляризации Pср определяется как сумма дипольных моментов в единице объема диэлектрика, а чтобы найти поляризованность в данном месте поля, надо выбрать достаточно малый объем ΔV:
Единица измерения поляризованности
[P] = [ql/V] = Кл*м/м3 = Кл/м2.
Вектор поляризации направлен навстречу вектору напряженности электрического поля связанных зарядов Eп.(рис. 4.12).
Вектор поляризации для большинства диэлектриков (за исключением группы сегнетоэлектриков) пропорционален напряженности электрического поля:
P = kε0E (1)
и его направление совпадает с направлением внешнего Eвн и результирующего Е полей (риc. 4.12).
Коэффициент k называется электрической восприимчивостью диэлектрика и характеризует его способность поляризоваться.
При расчетах электрических полей в диэлектриках с различными диэлектрическими проницаемостями пользуются еще вектором электрического смещения.
Электрическое смещение D связано с напряженностью электрического ноля простым соотношением
D = εaE = εrε0E (2)
откуда можно определить единицу намерения электрического смещения:
которая такая же, как у вектора, поляризации и у поверхностной плотности зарядов на электродах.
Электрическое смещение и поверхностная плотность свободных зарядов численно одинаковы на поверхности всех проводящих тел, находящихся в электростатическом поле. Например, у внутренней поверхности пластины плоского конденсатора (рис. 4.8) напряженность однородного электрического поля, как и в любой точке однородного поля (4.10),
E = Q/εaS
а электрическое смещение в любой точке поля, в том числе и у металлической поверхности,
D = εaE = Q/S = σ, (2а)
т. е. совпадает с поверхностной плотностью заряда на пластине.
Из (2а) следует, что при заданной плотности поверхностных свободных зарядов на электродах электрическое смещение в однородном диэлектрике с диэлектрической проницаемостью εa не зависит от εa, а напряженность электрического поля зависит. Поэтому можно сказать, что на напряженность электрического поля определяется и свободными (на электродах) и связанными (в диэлектриках) зарядами, т. е. поляризацией диэлектрика, а электрическое смещение в однородном диэлектрике не зависит от связанных зарядов.
Связь между тремя векторными величинами, характеризующими электрическое поле в диэлектрике, выражается равенством
D = ε0E + P. (3)
Приняв во внимание (1) и (2), получим
D = ε0E + P = ε0E + ε0k = εrε0E (4)
откуда диэлектрическая проницаемость
εr = 1 + k,
а электрическая восприимчивость
k = (εr — 1).
Рассмотрим еще неоднородное электрическое поле заряженного металлическою шара (рис. 1), радиус которого Rш. Известно, что электрический заряд Q находится на поверхности такого шара. Поверхностная плотность заряда
σ = Q/S = Q/(4πRш2)
Поле металлического шара с зарядом Q совпадает вне шара с полем равного ему по значению точечного заряда Q, расположенного в центре шара (4.8); поэтому напряженность поля на расстоянии R от центра шара и в частности, у его наружной поверхности, т.е. при R = Rш,
E = Q/(4πεaR2) = Q/(4πεaRш2)
а электрическое смещение
D = εaE = Q/(4πRш2) = σ (4.16)
т. е. равно поверхностной плотности заряда.
Внутри металлического шара поля нет, как и во всяком проводнике в условиях электростатики , Поэтому потенциалы всех точек шара одинаковые, т. е. шар — эквипотенциальное тело, как и всякое металлическое тело в электростатическом поле.
Аналогично потоку вектора напряженности поля (4.7) применяется понятие потока вектора электрического смешения.
Поток вектора смещения ND в однородном поле равен произведению численного значения вектора смещения D и площадки S, во всех точках которой вектор смещения имеет одинаковое значение и направлен перпендикулярно к ней, т. е.
ND = DS. (6)
При неоднородном поле произвольную поверхность площадью S разбивают на элементарные, в пределах каждой на которых смещение одинаково; так что поток вектора
смещения через такую элементарную площадку
dND = Dn dS.
где Dn— нормальная составляющая вектора смещения (перпендикулярная к элементарной площадке).
Поток вектора смещения через произвольную замкнутую поверхность находится суммированием элементарных потоков:
Так как D = εaE и соответственно Dn = εaEn, то поток вектора смещения
В частности, в случае шаровой поверхности
Таким образом, поток вектора электрического смещения через шаровую поверхность равен заряду, расположенному внутри поверхности.
Полученное выражение ND = Q справедливо для замкнутой поверхности любой формы, охватывающей заряд как в однородной среде с εr = const, так и в среде, диэлектрическая проницаемость которой неодинакова в различных участках среды, например в двухслойном конденсаторе.
На поверхности шара,
ND = D*4πRш2
откуда определяется электрическое смещение у поверхности шара: что согласуется с (5).
D = ND/(4πRш2 ) = Q/(4πRш2 )
Добавить комментарий